Назначение, характеристики и аналоги транзистора 13001

Транзистор 13001 (MJE13001) – кремниевый триод, производимый по планарной эпитаксиальной технологии. Имеет структуру N-P-N. Относится к приборам средней мощности. Производятся, большей частью, на предприятиях, расположенных в Юго-Восточной Азии, и применяются в электронных приборах, произведенных в том же регионе.

Содержание

  • 1 Основные технические характеристики
  • 2 Корпуса и цоколевка
  • 3 Отечественные и зарубежные аналоги
  • 4 Область применения транзисторов 13001

Основные технические характеристики

Главными особенностями транзистора 13001 являются:

  • высокое рабочее напряжение (база-коллектор – 700 вольт, коллектор-эмиттер – 400 вольт, по некоторым источникам – до 480 вольт);
  • малое время переключения (время нарастания тока — tr=0,7 микросекунд, время спадания тока tf=0,6 μs, оба параметра измерены при токе коллектора 0,1 мА);
  • высокая рабочая температура (до +150 °C);
  • высокая рассеиваемая мощность (до 1 Вт);
  • низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер.

Последний параметр декларируется при двух режимах:

Ток коллектора, мА Ток базы, мА Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
50 10 0,5
120 40 1

Также в качестве преимущества производители заявляют о низком содержании в транзисторе вредных веществ (соответствие требованиям RoHS).

Важно! В даташитах различных производителей на транзисторы серии 13001 характеристики полупроводникового прибора разнятся, поэтому возможны определенные несоответствия (обычно, в пределах 20%).

Другие параметры, значимые для эксплуатации:

  • максимальный непрерывный ток базы – 100 мА;
  • наибольший импульсный ток базы – 200 мА;
  • предельный допустимый ток коллектора – 180 мА;
  • предельный импульсный ток коллектора – 360 мА;
  • наибольшее напряжение база-эмиттер – 9 вольт;
  • время задержки включения (storage time) – от 0,9 до 1,8 μs (при токе коллектора 0,1 мА);
  • напряжение насыщения база-эмиттер (при токе базы 100 мА, токе коллектора 200 мА) – не более 1,2 вольта;
  • наибольшая рабочая частота – 5 МГц.
Еще:  Спайдерное остекление фасадов: эстетика, функциональность, прочность

Читайте также:  Что такое выпрямитель напряжения и для чего нужен: типовые схемы выпрямителей

Статический коэффициент передачи по току для разных режимов заявляется в пределах:

Напряжение коллектор-эмиттер, В Ток коллектора, мА Коэффициент усиления
Наименьший Наибольший
5 1 7
5 250 5
20 20 10 40

Все характеристики декларируются при температуре окружающего воздуха +25 °C. Хранить транзистор можно при температурах окружающей среды от минус 60 до +150 °C.

Корпуса и цоколевка

Транзистор 13001 выпускается в выводных пластиковых корпусах с гибкими выводами для монтажа по технологии true hole:

  • TO-92;
  • TO-126.

Также в линейке имеются корпуса для поверхностного монтажа (SMD):

  • SOT-89;
  • SOT-23.

Маркируются транзисторы в SMD-корпусах литерами H01A, H01C.

Важно! Транзисторы различных производителей могут иметь префикс MJE31001, TS31001 или не имеют префикса. Из-за недостатка места на корпусе префикс часто не указывается, а такие приборы могут иметь различную цоколевку. Если имеется транзистор неизвестного происхождения, расположение выводов лучше уточнить с помощью мультиметра или прибора для проверки транзисторов.

Отечественные и зарубежные аналоги

Прямого аналога транзистора 13001 в номенклатуре отечественных кремниевых триодов нет, но при средних эксплуатационных режимах можно применять кремниевые полупроводниковые приборы структуры N-P-N из таблицы.

Тип транзистора Наибольшая рассеиваемая мощность, Ватт Напряжение коллектор-база, вольт Напряжение база- эмиттер, вольт Граничная частота, МГц Наибольший ток коллектора, мА h FE
КТ538А 0,8 600 400 4 500 5
КТ506А 0,7 800 800 17 2000 30
КТ506Б 0,8 600 600 17 2000 30
КТ8270А 0,7 600 400 4 500 10

При режимах, близких к максимальным, надо внимательно выбирать аналоги так, чтобы параметры позволяли эксплуатировать транзистор в конкретной схеме. Также надо уточнять цоколевку приборов – она может не совпадать с расположением выводов 13001, это может привести к проблемам с установкой на плату (особенно, для исполнения SMD).

Из зарубежных аналогов для замены подойдут такие же высоковольтные, но более мощные кремниевые N-P-N транзисторы:

  • (MJE)13002;
  • (MJE)13003;
  • (MJE)13005;
  • (MJE)13007;
  • (MJE)13009.

Они отличаются от 13001, большей частью, повышенным током коллектора и увеличенной мощностью, которую может рассеивать полупроводниковый прибор, но также может иметь место различие в корпусе и расположении выводов.

В каждом конкретном случае надо проверять цоколевку. Во многих случаях могут подойти транзисторы LB120, SI622 и т.п., но надо внимательно сравнить специфические характеристики.

Так, у LB120 напряжение коллектор-эмиттер составляет те же 400 вольт, но между базой и эмиттером больше 6 вольт подавать нельзя. Также у него несколько ниже максимальная рассеиваемая мощность – 0,8 Вт против 1 Вт у 13001. Это надо учитывать при принятии решения о замене одного полупроводникового прибора на другой. То же самое относится к более мощным высоковольтным отечественным кремниевым транзисторам структуры N-P-N:

Тип отечественного транзистора Наибольшее напряжение коллектор-эмиттер, В Максимальный ток коллектора, мА h21э Корпус
КТ8121А 400 4000 8 КТ28
КТ8137А 400 1500 8..40 КТ27
КТ8170А 400 1500 8..40 КТ27
КТ8170А 400 1500 8..40 КТ27
КТ8259А 400 4000 до 60 TO-220, TO-263
КТ8259А 400 8000 до 60 TO-220, TO-263
КТ8260А 400 12000 до 60 TO-220, TO-263
КТ8270 400 5000
Дата: 28 марта 2024

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

Похожие записи

Начните вводить, то что вы ищите выше и нажмите кнопку Enter для поиска. Нажмите кнопку ESC для отмены.

Вернуться наверх